6英寸磷化铟研发突破，先导半导体实力大增！

先导集团成功研发6英寸磷化铟衬底，填补国内大尺寸半导体衬底产品空白，推动我国半导体材料行业实现重大技术突破。

• 产品优势与性能磷化铟（InP）作为第三代化合物半导体材料，具有高电光转换率、高电子迁移率、优异导热性及强抗辐射能力，广泛应用于射频、光电子、5G/6G通信、数据中心等领域。先导集团采用垂直温度梯度凝固法（VGF）生产6英寸磷化铟单晶，该方法通过小温度梯度、稳定生长界面和低晶体位错，确保晶圆成品率高且质量稳定，达到国内领先、国际先进水平。

• 市场需求与增长潜力据Yole研报数据，全球磷化铟衬底需求（折合2英寸）预计从2021年的100万片增至2024年的148万片，年复合增长率达15%。其中，光电器件和微波通信领域占比最大，近红外成像及波分复用系统市场未来规模有望达10亿美元。当前市场以2~4英寸产品为主（2英寸占60%以上），但随着上下游技术成熟，6英寸衬底需求比例将加速提升。

• 技术突破与自主可控全球6英寸磷化铟衬底生产技术长期被日美企业垄断（占80%市场份额）。先导集团率先开展大尺寸单晶设备及工艺开发，攻克了大尺寸单晶生长难度高、成品率低的技术难题。通过自主设计优化晶体生长系统、加热系统及压力容器设备，成功产出6英寸无缺陷磷化铟单晶，打破国外技术封锁，推动我国半导体领域关键技术自主可控。

• 产业化进展与市场拓展作为国内少数掌握2~6英寸磷化铟单晶技术的高新技术企业，先导集团已开展送样工作，并根据客户需求调整产品性能，质量获客户高度认可。未来计划通过延伸单晶棒长度提升产能，同时拓展海内外市场，驱动半导体业务高速增长。